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左室辅助装置植入后低心排量是中风的独立危险因素

作者:胸心分会办公室来源:胸心分会办公室
点击:1245次时间:2018-07-20 11:13:20

中风是左室辅助装置(LVAD)植入后的主要不良事件之一,LVAD植入后即刻是中风发生风险最高的时期。那么,哪些患者是高危人群呢?


一项来自日本的研究发现,围手术期心排量低以及血清乳酸脱氢酶水平较高的患者更容易在LVAD植入后急性期内出现中风。研究者强调,这项研究提示,在植入LVAD时,维持充足的LVAD血流对于预防术后中风至关重要。


这项研究纳入158例植入恒流式LVAD50HeartMate II, 38DuraHeart, 33Jarvik2000, 23EVAHEART, 14HeartWare)的患者,患者平均年龄为43岁,34%为女性。


研究人员发现,LVAD植入90天内,28例患者出现中风。多因素分析显示,术后12~24小时低心排量是术后急性期发生中风的唯一独立危险因素(OR=0.2595% CI 0.07-0.92P = 0.024)。急性期出现中风的患者在术后14天内任何时间点测得的血清乳酸脱氢酶水平均较高。尤其值得注意的是,在植入HeartMate Ⅱ的患者中,术后12~24小时心排量与术后14天时血清乳酸脱氢酶水平之间存在明显的负相关关系(r = -0.313, P =0.03)。


参考文献:Takaaki Samura, et al. Risk of stroke early after implantation of a left ventricular assist device. J Thorac Cardiovasc Surg. Published online: July 3, 2018